بررسی و مقایسه نانو ماسفت های دوگیته با cntfet

دوره 1، شماره 8، اسفند 98، صفحات 8 - 17

نویسندگان : اشرف السادات ضیائی بافقی * و محمدرضا شایسته

چکیده :
در دهه هاي اخير به علت پيشرفتِ زياد در الكترونيك، طولِ كانالِ ماسفت ها به مقياس دِكا نانو و سرعت دو قطبی ها نيز به هزاران گيگاهرتز رسيده است. در چنين ماسفت هايي كه اندازه قطعه از طول پراكندگي حامل كوچك تر است احتمال اين كه حامل ها كانال را از الكترود هاي سورس به درين بدون مواجهه با رخداد پراكندگي طي كنند بسيار زياد مي باشد؛ به چنين ترابردي به اصطلاح ترابرد باليستيك گويند. ولی در عمل مشخصات نانو ماسفت ها با حالت ایده آل و ترابرد بالیستیک فاصله داشته که این به خاطر وجود پراکندگی در کانال می باشد. دراین کار پژوهشی علل ایجاد پراکندگی در کانال بررسی شده و در آخر راهکارهایی برای کاهش آن مطرح گردیده است. یکی از موارد کاهش پراکندگی کانال استفاده از نانولوله های کربنی در کانال بوده که تاثیرات آن مورد بررسی قرار گرفته است. در آخر نیز با استفاده از شبیه ساز سیلواکو منحنی مشخصه V-I یک FET دو گیته با CNTFET دوگیته ترسیم و مقایسه شده است.

کلمات کلیدی :
نانو ماسفت، CNTFET، ماسفت دوگیته، پراکندگی